The Effect of High Background and Dead Time of an InGaAs/InP Single-Photon Avalanche Photodiode on the Registration of Microsecond Range Near-Infrared Luminescence

Parfenov, P.S.; Litvin, A.P.; Onishchuk, D.A.; Gonchar, K.A.; Berwick, K.; Fedorov, A.V.; Baranov, A.V.

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 14 октября 2020 г.

Авторы: Parfenov P.S., Litvin A.P., Onishchuk D.A., Gonchar K.A., Berwick K., Fedorov A.V., Baranov A.V.
Журнал: Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya)
Том: 128
Номер: 5
Год издания: 2020
Издательство: Optical Society of America
Местоположение издательства: United States
Первая страница: 674
Последняя страница: 677
DOI: 10.1134/s0030400x20050100
Аннотация: The effects of a high background count and a microsecond dead time interval on a gated InGaAs/InP single-photon avalanche photodiode (SPAD) during microsecond luminescence decay registration are discussed. It is shown that the background count rate of the SPAD limits its use for time-resolved and steady-spectral measurements, and that a “pile-up” effect appears in the microsecond range.
Добавил в систему: Гончар Кирилл Александрович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ПсковГУ
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ПсковГУ

The Effect of High Background and Dead Time of an InGaAs/InP Single-Photon Avalanche Photodiode on the Registration of Microsecond Range Near-Infrared Luminescenceстатья

Прикрепленные файлы