|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
Self-tuning MOCVD approach to the growth of very smooth La1-xPbxMnO3 and PbTiO3 epitaxial thin filmsстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Bosak A.A., Samoylenkov S.V., Gorbenko O.Yu, Graboy I.E., Botev A.N., Kaul A.R., Zandbergen H.W.
- Журнал: Chemistry of Materials
- Том: 13
- Год издания: 2001
- Издательство: American Chemical Society
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 981
- Последняя страница: 986
- DOI: 10.1021/cm001174i
- Аннотация: The approach to the growth of stoichiometric lead-containing complex oxide films was developed. It was successfully used for the MOCVD of La1-xPbxMnO3 (x = 0.1−0.6) and PbTiO3 films on perovskite substrates and MgO at a deposition rate of ≈1 μm/h. The grown films were of a good epitaxial quality with rather low mean surface roughness, Sa < 2 nm (for the film thickness ≥250−600 nm). The grown manganite layers were metallic at room temperature with a Tc above 300 K. Such films are suitable for the fabrication of low-field tunnel magnetoresistance devices and thin film capacitors.
- Добавил в систему: Кауль Андрей Рафаилович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|