Spin orientation due to longotudinal current and interband tunnelling in narrow–gap heterostructuresстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 10 августа 2021 г.
Аннотация:Рассчитана спиновая ориентация электронов туннелирующих в валентную зону.
The mechanism of spin orientation under the interband tunnelling transport of carriers due to the longitudinal current has been considered. The spin-dependent interband tunnelling probability has been calculated for Kane and Dirac-like models. For lead chalcogenides and InAs/AlGaSb/GaSb heterostructures the degree of spin orientation can be greater than 10% under weak current-induced longitudinal anisotropy of the distribution function.