Акустическая неустойчивость в узкощелевых полупроводниках с неравновесной плазмой в условиях Оже–рекомбинациистатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 17 августа 2021 г.
Аннотация:Построена теория акустической неустойчивости в полупроводниках с неравновесной плазмой в условиях Оже–рекомбинацииб механизм которой связан с зависимостью Оже-рекомбинации от параметров зонной структуры полупроводника и не имеет отношения ни к каким эффектам простанственного перемещения квазичастиц. Вычислены инкременты нарастания продольных и поперечных акустических флуктуаций, порог неустойчивости и интервал волновых векторов, для которых инкремент положителен. Показано, что развитие неустойчивости в узкощелевых полупроводниках ограничивается процессами ударной ионизации.