Осцилляции вольт–амперных характеристик монополярных транзисторных структур с квантовой ямойстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 декабря 2020 г.
Аннотация:С использованием многозонного приближения метода эффективной массы рассчитан коэффициент прохождения квазичастицы над симметричной прямоугольной квантовой ямой. Найдена вольт-амперная характеристика транзисторной структуры с монополярной проводимостью, содержащей глубокую квантовую яму такой формы. Показано, что вольт-амперная характеристика имеет падающие участки как в режиме ограничения тока пространственным зарядом, так и в режиме насыщения эмиттера.