|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
К теории переноса горячих электронов в гетероструктурных транзисторахстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 мая 2021 г.
- Авторы: Ершов М.Ю., Захарова А.А., Рыжий В.И.
- Журнал: Физика и техника полупроводников
- Том: 24
- Номер: 7
- Год издания: 1990
- Издательство: Наука
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 1265
- Последняя страница: 1271
- Аннотация: Предложен аналитический метод решения кинетического уравнения для горячих электронов, взаимодействующих с полярными оптическими фононами. Найдены угловая и координатная зависимости функции распределения неравновесных электронов, инжектируемых в базу двойной гетероструктуры с монополярной проводимостью. Рассчитан коэффициент усиления по току транзисторов с переносом поперек активных слоев на основе такой структуры. Для сравнения проведено численное моделирование переноса горячих электронов методом Монте-Карло, причем полученные результаты хорошо согласуются с аналитической моделью.
- Добавил в систему: Захарова Анна Александровна