Optical Diagnostics of Free Charge Carriers in Silicon Nanowire Arraysстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 15 апреля 2020 г.
Аннотация:Исследовано влияние свободных носителей заряда в массивах кремниевых нанонитей р‐ и n‐типов проводимости на их оптические свойства с помощью инфракрасной спектроскопии в режиме нарушенного полного отражения (ИК‐АТР) и комбинационного рассеяния света. Образцы изготавливаются методом химического травления пластин кристаллического кремния р‐типа (c‐Si) с последующим термодиффузионным легированием примесями р‐ и n‐типа. Концентрация свободных носителей заряда определяется по их ATR-спектрам, построенным с использованием модели анизотропной эффективной среды со свободными носителями заряда. Полученные данные о концентрациях свободных носителей заряда в диапазоне 10^19-10^20 см^-3 сравниваются с соответствующими значениями, полученными из спектров комбинационного рассеяния, которые анализируются с учетом эффекта Фано, и результаты обоих методов используются для оценки электрических свойств нанонитей. Обсуждаются предложенные оптические методы исследования электрических свойств нанонитей с учетом их возможного применения в наноэлектронике и термоэлектрических устройствах.