|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
Упругое рассеяние нейтрального фтора на атомах Si, O, C и H в диапазоне относительных кинетических энергий 2-200 eVстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКДата последнего поиска статьи во внешних источниках: 4 мая 2020 г.
- Авторы: Палов А.П., Zhang J., Baklanov M., Wei Sh
- Журнал: Письма в "Журнал технической физики"
- Том: 45
- Номер: 23
- Год издания: 2019
- Издательство: Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 19
- Последняя страница: 22
- DOI: 10.21883/PJTF.2019.23.48713.17955
- Аннотация: Бинарные межатомные потенциалы F-F, F-Si, F-O, F-C и F-H рассчитаны из первых принципов ( ab initio) на основе многоконфигурационного метода самосогласованного поля (CAS-SCF) с базисным набором атомных волновых функций aug-pp-AV6Z и использованы для расчета сдвигов фаз и сечений упругого рассеяния атомов в диапазоне относительных кинетических энергий 2-200 eV. Ожидается, что полученные сечения упругого рассеяния будут полезны для описания распыления и травления пористых органосиликатных пленок с этиленовыми мостиками, используемых в современной наноэлектронике. Ключевые слова: распыление, травление, фтор, органосиликатные стекла.
- Добавил в систему: Палов Александр Петрович