Люминесценция и структура сверхрешеток на основе аморфного кремниястатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:Исследована фотолюминесценция аморфных сверхрешеток a-Si : H/a-SiNx : H (x=0.3). Показано, что с уменьшением толщины слоя Si сдвигается вверх по энергии не только линия, обусловленная переходами между "хвостами" плотности состояний, но и линия, обусловленная переходами глубокий уровень-хвост валентной зоны. Это явление связывается с квантово-размерным эффектом. Примесь азота влияет на положение линий фотолюминесценции в случае толстых слоев a-Si : Н.