|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
Modelling vertical tunneling in semiconductor multiple quantum well structures: effect of the disorder in layer parametersстатья
- Авторы: Dmitriev A.V., Pupysheva O.V.
- Сборник: "Physics, Chemistry and Application of Nanostructures". Reviews and Short Notes to "Nanomeeting-2003", Minsk, Belarus, May 20-23, 2003, ed. by Borisenko V.E., Gaponenko S.V., and Gurin V.S
- Год издания: 2003
- Издательство: World Scientific Publishing Co
- Местоположение издательства: Singapore
- Первая страница: 198
- Последняя страница: 200
- Добавил в систему: Дмитриев Алексей Владимирович