|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
Al2O3(M = Pt, Ru) catalytic membranes for selective semiconductor gas sensorsстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Ryzhikov A., Labeau M., Gaskov A.
- Журнал: Sensors and Actuators, B: Chemical
- Том: 109
- Номер: 1
- Год издания: 2005
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 91
- Последняя страница: 96
- DOI: 10.1016/j.snb.2005.03.004
- Аннотация: Semiconductor gas sensor stability and selectivity can be improved by using catalytic filtering membranes to avoid the gas interference. The filtering membranes of pure and Pt or Ru doped Al2O3 with various thickness (9-53 nm) were deposited on the surface of SnO2(Pd) films by aerosol pyrolysis method. Phase composition and microstructure of the films were studied by XRD, AFM and EPMA. Sensors properties of SnO2(Pd)/Al2O3 and SnO2(Pd)/Al2O3(M) structures (M = Pt, Ru) were studied under H-2, CH4 and CO-air gas mixtures at 100-300 degrees C. All membranes reduce significantly sensitivity to CO and increase the sensitivity to CH4 at 200 degrees C. Ru-doped membranes significantly reduces the sensitivity to H-2. The sensitivity and response time considerably depend on membrane thickness. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
- Добавил в систему: Гаськов Александр Михайлович