|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
Strong anisotropy of lateral electrical transport in (110) porous silicon filmsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 9 ноября 2017 г.
- Авторы: Forsh P., Zhigunov D., Osminkina L., Timoshenko V., Kashkarov P.
- Журнал: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
- Том: 2
- Номер: 9
- Год издания: 2005
- Первая страница: 3404
- Последняя страница: 3408
- DOI: 10.1002/pssc.200461190
- Аннотация: We study the lateral electrical transport in free-standing porous silicon films prepared by anodic etching of heavily boron-doped (110) Si wafers. It is shown that the lateral dark conductivity and photoconductivity are significantly higher along the [10] in-plane crystallographic direction than that along the [001] one. The electrical transport anisotropy decreases under light illumination and with increasing temperature. The experimental results are explained by using an effective-medium approximation and taking into account potential barriers between anisotropic Si nanocrystals assembling the films.
- Добавил в систему: Осминкина Любовь Андреевна