Влияние облучения электронами монокристаллов ZnGeP2 на терагерцевые потери в широком интервале температурстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:Измерены спектры отражения и пропускания облученных электронами с энергией 4 MeV монокристаллических образцов ZnGeP2 в диапазоне частот 5-5000 cm-1 в интервале температур 10-300 K. На их основе методом дисперсионного анализа смоделированы спектры комплексной диэлектрической проницаемости varepsilon*(nu) и коэффициента поглощения alpha(nu). Установлено, что облучение электронами, снижающее потери в области накачки в 2-3 раза, не приводит к дополнительным потерям в области генерации терагерцевого излучения. Работа выполнена в рамках Программы фундаментальных исследований ОФН РАН Современные проблемы радиофизики".