|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
Фотоиндуцированная релаксация метастабильных состояний в a-Si:Hтезисы доклада
- Авторы: Ормонт Н.Н., Курова И.А., Прокофьев Г.В.
- Сборник: Сборник трудов IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». Санкт-Петербург, 2004 г.,с.61-62
- Тезисы
- Год издания: 2004
- Место издания: СПбГПУ Санкт-Петербург
- Первая страница: 59
- Последняя страница: 60
- Аннотация: Кинетика изменения концентрации фотоиндуцированных метастабильных электрически активных атомов примеси (МЭАП), созданных предварительным сильным освещением пленки a-Si:H(B), в процессе релаксации при подсветке определяется не только термическим отжигом МЭАП, но и их фтоиндуцированным образованием и фотоиндуцированным отжигом. Фотоиндуцированный отжиг повышает скорость уменьшения концентрации МЭАП по сравнению со скоростью термического отжига в начальный период релаксации, когда его скорость больше скорости фотоиндуцированного образования МЭАП. Фотоиндуцированный отжиг МЭАП вместе с их фотоиндуцированным образованием изменяет распределение по эффективному времени в ансамбле неотожженных МЭАП, уменьшая эффективное время термической релаксации этого ансамбля.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна