|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
О релаксационных характеристиках и стабильности пленок a-Si:H, выращенных при высоких температурахстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.
- Авторы: Курова И.А., Ормонт Н.Н., Голикова О.А., Кудоярова В.Х.
- Журнал: Физика и техника полупроводников
- Том: 31
- Год издания: 1997
- Издательство: Наука
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 536
- Последняя страница: 538
- DOI: 10.1134/1.1187193
- Аннотация: Исследованы некоторые характеристики тепловой и световой стабильности в пленках a-Si:H, осажденных в триодном реакторе при температурах 300-390С, с различной концентрацией водорода. Найдено, что температура установления равновесия увеличивается с уменьшением концентрации водорода. При длительном освещении фотопроводимость уменьшается во времени t по закону t в степени -0.3 в пленках с большим содержанием водорода. В пленках с малым содержанием водорода фотопроводимость падает медленнее.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна