|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
Investigation of laser-induced defect formation in CdTe crystals by Rutherford backscatteringстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Golovan L.A., Kashkarov P.K., Sosnovskikh Y.N., Timoshenko V.Y., Chechenin N.G., Lakeenkov V.M.
- Журнал: Physics of the Solid State
- Том: 40
- Номер: 2
- Год издания: 1998
- Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
- Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
- Первая страница: 187
- Последняя страница: 189
- DOI: 10.1134/1.1130268
- Аннотация: Rutherford backscattering has been used to study defect formation processes in a CdTe surface layer exposed to pulsed laser radiation. It was established that scattering centers are formed only at laser pulse energies exceeding the melting threshold of the surface. The spatial distributions of Cd and Te and of structural defects in the irradiated layer were determined. The data are interpreted assuming intensive evaporation of one of the components (Cd). (C) 1998 American Institute of Physics.
- Добавил в систему: Чеченин Николай Гаврилович