|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
The effect of normal and insulating layers on 0-π transitions in Josephson junctions with a ferromagnetic barrierстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 января 2016 г.
- Авторы: Heim D.M., Pugach N.G., Kupriyanov M.Yu, Goldobin E., Koelle D., Kleiner R., Ruppelt N., Weides M., Kohlstedt H.
- Журнал: New Journal of Physics
- Том: 17
- Номер: 11
- Год издания: 2015
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: 113022-1
- Последняя страница: 113022-15
- DOI: 10.1088/1367-2630/17/11/113022
- Аннотация: Using the Usadel approach, we provide a formalism which allows to calculate the critical current density of 21 different types of Josephson junctions (JJs) with a ferromagnetic (F) barrier and additional insulating (I) or/and normal (N) layers inserted between F-layer and superconducting (S) electrodes. In particular, we obtain that in SFS JJs even a thin additional N-layer between S-layer and F-layer may noticeably change the thickness $\dF$ of the F-layer at which the $0$-$\pi$ transitions occur. For certain values of $\dF$, a $0$-$\pi$ transition can even be achieved by changing only the N-layer thickness. We use our model to fit experimental data of SIFS and SINFS tunnel junctions.
- Добавил в систему: Куприянов Михаил Юрьевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|