ИСТИНА

Изобретение относится к области нанотехнологии сенсорных материалов и может быть использовано для создания полупроводниковых газовых сенсоров, селективных к содержанию в воздухе сероводорода и его производных. Сущность изобретения состоит в создании наногетерогенного материала на основе нитевидных кристаллов оксидов n-типа проводимости SnO2, ZnO, In2O3 и иммобилизованных на их поверхности нанокластеров оксидов p-типа проводимости CuO, NiO, Co3O4. Способ изготовления включает получение нитевидных кристаллов из пара и пропитку кристаллов растворами солей с последующим отжигом для формирования p-n гетероконтактов. Техническим результатом является повышение чувствительности газового сенсора селективно к H2S и его производным в воздухе.