ИСТИНА

Одним из основных параметров, определяющих КПД кремниевых солнечных элементов (СЭ) P+-N(P)-N+ типа, является τeff - время жизни неосновных носителей заряда (ННЗ) в базовой N(P) области. Чтобы КПД было максимальным, фоточувствительнось и τeff должны также быть максимальными и одинаковыми по всей площади СЭ. Для определения τeff исходных N(P) пластинах обычно применяют способ, состоящий в их сканировании амплитудно модулированным лучом света лазера, создающим ННЗ в освещаемых участках. При этом измеряют время релаксации фоточувствительности по модуляции СВЧ волны, проходящей через эту пластину или отражающейся от неё. Для определения карт значений τeff в готовых СЭ такие способы не используются. Это свяэано с тем, что при локальном освещения СЭ по его площади возникают градиенты фото ЭДС между освещаемым и неосвещаемыми участками. В результате ННЗ экстрагируют из освещаемого участка, перемещаются вдоль p+ и n+ слоев и покрывающих их сеток контактов, а затем инжектируются в окружающие их неосвещаемые участки. При этом возникает ток, который сглаживает рельеф этой фото ЭДС и заметно уменьшает время релаксации фотопроводимости освещаемого участка по сравнению с истинной величиной его τeff. Согласно расчетам (Koshelev O. G. and Untila G. G. Microwave Photoconductivity of Bifacial Silicon Solar Cells of p+nn+ Type under Laser Irradiation. // Physics of Wave Phenomena, 2016, Vol. 24, No. 3, pp. 214-218), в случае τeff =1000 мкс при снижении фото ЭДС всего на 10 % среднее по толщине СЭ время релаксации фотопроводимости может снижаться в 9 раз. Другими словами, такое шунтирование приводит к существенному искажению карт τeff, т.е. распределений значений τeff по площади СЭ. В настоящей работе для устранения таких искажений к контактам СЭ подключается источник постоянного запирающего напряжения, достаточного для устранения упомянутого выше эффекта. При этом между этим источником и СЭ подключают резистор и/или индуктивность, общее дифференциальное сопротивление которых на частоте модуляции света больше внутреннего сопротивления освещаемого участка. В этом случае ННЗ обнаруживались только при воздействии СВЧ на освещаемый участок. Тогда как без запирающего напряжения ННЗ обнаруживались по всей площади СЭ, как на освещаемых, так и неосвещаемых участках, но существенно меньшей амплитуды.