ИСТИНА

Настоящее изобретение относится к области измерений электрофизических свойств полупроводниковых материалов и может быть использовано в электронной промышленности для определения фотоэлектрических параметров кремниевых солнечных элементов, таких как карты времени жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ), их диффузионной длины и скорости поверхностной рекомбинации, представляющих собой распределение соответствующих измеряемых параметров по площади солнечных элементов. Эти измерения необходимы для увеличения эффективности солнечных элементов при преобразованиях солнечной энергии в электричество.