ИСТИНА

Изобретение относится к криогенной технике и может быть использовано в технологии высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) проводов нового поколения (с использованием гибких диэлектрических носителей) с применениями как в сильноточной сверхпроводниковой технике (например, сверхпроводящие линии передач, ограничители тока), так и в слаботочной сверхпроводниковой электронике (например, сверхпроводящие трансформаторы магнитного потока и аксиальные градиометры для сверхпроводящих квантовых магнитометров (СКВИДов), сверхпроводящие линии передачи информации). Представляемая методика позволяет решить технологическую проблему напыления тонкой пленки YBCO на подложку из аморфного кварца и предотвратить растрескивание пленки YBCO. Ключевым пунктом представляемой методики является напыление тонкого слоя SiO2 на подложку перед напылением буферного слоя YSZ и сверхпроводящего слоя YBCO. Коэффициент температурного расширения (КТР) тонкого слоя кварца оказывается выше КТР объемного образца, что позволяет напряжениям срелаксировать в пленке SiO2. Заявка № 2015150399 от 25.11.2015