ИСТИНА

1. Фотопреобразователь представляет собой массив полупроводниковых нанопроводов, сформированных в пористой матрице диэлектрика, на противоположных сторонах которой сформированы эмиттерный и коллекторный контакты, при этом граница между каждым из контактов и каждым нанопроводом представляет собой гетеропереход, в котором нанопровод является потенциальным барьером для основных носителей заряда. 2. Фотопреобразователь по п.1, отличающийся тем, что нанопровода выполнены идентичными. 3. Фотопреобразователь по п.1, отличающийся тем, что нанопровода выполнены из антимонида индия (InSb). 4. Фотопреобразователь по п.1, отличающийся тем, что нанопровода выполнены полупроводниковыми и/или металлическими и/или полуметаллическими. 5. Фотопреобразователь по п.1, отличающийся тем, что нанопровода выполнены в форме углеродных нанотрубок. 6. Фотопреобразователь по п.1, отличающийся тем, что в качестве диэлектрической матрицы использован диэлектрик с регулярным расположением нанопор. 7. Фотопреобразователь по п.6, отличающийся тем, что в качестве диэлектрика с регулярным расположением нанопор использован нанопористый анодный оксид алюминия. 8. Фотопреобразователь по п.1, отличающийся тем, что эмиттерный и коллекторный контакты выполнены из меди, золота или алюминия.