ИСТИНА

1. Термоэлектрическое устройство для точечного охлаждения, характеризующееся тем, что выполнено в виде матрицы полупроводниковых нанопроводов, сформированных в регулярных нанопорах диэлектрика и снабженных контактами того же типа проводимости, так, что границы между контактами и нанопроводами представляют собой гетеропереходы, в которых нанопровода являются потенциальными барьерами для основных носителей заряда. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что нанопровода выполнены с электронным типом проводимости. 3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что нанопровода выполнены с дырочным типом проводимости. 4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в качестве диэлектрика с регулярными порами использована пористая матрица анодного оксида алюминия. 5. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в качестве материала для формирования нанопроводов использован антимонид индия (InSb). 6. Устройство по п. 4, отличающееся тем, что матрица анодного алюминия выполнена с диаметром пор в диапазоне от 35 до 100 нм. 7. Устройство по п. 4, отличающееся тем, что матрица анодного алюминия выполнена с плотностью нанопроводов 109-1010 проводов/см2. 8. Устройство по п. 4, отличающееся тем, что выполнено с применением темплетного метода электрохимического осаждения InSb в поры матрицы анодного алюминия. 9. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что контакты выполнены из меди, и/или из алюминия, и/или из золота.