ИСТИНА

1. Способ получения пористой пленки с высокоупорядоченной системой пор, образующих строгую гексагональную решетку, путем анодного окисления алюминия, отличающийся тем, что в качестве исходного материала используют монокристаллический алюминий с кристаллографической ориентацией Al(111), Al(110). 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве подложки используют Al с гладкой или периодически-шероховатой поверхностью. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве монокристаллического алюминия используют высокочистый алюминий (более 99,99 %). 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что анодное окисление алюминия осуществляют в водном или водно-спиртовом растворе кислоты. 5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что стандартное отклонение средней ориентации системы пор в различных точках пористой пленки не превышает 3 °. 6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что толщина пленки анодного оксида алюминия составляет от 500 нм до 300 мкм. 7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что диаметр каналов в пленке анодного оксида алюминия составляет от 5 нм до 300 нм. 8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что дисперсия пор по размеру составляет менее 15 %. 9. Способ по п. 1, отличающийся тем, что период пористой структуры пленки анодного оксида алюминия составляет от 10 нм до 500 нм. 10. Способ по п. 1, отличающийся тем, что дисперсия расстояний между соседними порами составляет менее 5 %. 11. Способ по п. 1, отличающийся тем, что дополнительно проводят химическое травление пленки анодного оксида алюминия в разбавленном растворе кислоты при температуре 20 ÷ 90 °С. 12. Способ формирования высокоупорядоченных массивов анизотропных наноструктур путем электрохимического осаждения внедряемого вещества из соответствующих растворов электролитов в каналах пористой матрицы, отличающийся тем, что в качестве пористой матрицы используют пористую пленку, полученную способом по п. 1. 13. Способ по п. 12, отличающийся тем, что степень заполнения пор внедряемым веществом превышает 80 %. 14. Способ по п. 12, отличающийся тем, что фактор геометрической анизотропии наноструктур составляет до 100000. 15. Способ по п. 12, отличающийся тем, что диаметр анизотропных наноструктур составляет от 5 нм до 300 нм. 16. Способ по п. 12, отличающийся тем, что дисперсия анизотропных наноструктур по размеру составляет менее 15 %. 17. Способ по п. 12, отличающийся тем, что расстояние между соседними наноструктурами в их массиве составляет от 10 нм до 500 нм. 18. Способ по п. 12, отличающийся тем, что дисперсия расстояний между соседними наноструктурами составляет менее 5 %. 19. Способ по п. 12, отличающийся тем, что стандартное отклонение средней ориентации системы наноструктур в различных точках массива не превышает 3 °.