|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
В настоящее время в мире одним из немаловажных развивающихся направлений является кремниевая полупроводниковая промышленность с микро- и нанометровыми топологическими нормами, изделия которой могут обеспечить стабильную работу при температурах 200 °С и выше. Ко всем функциональным узлам ИС предъявляются все более высокие требования. Одним из них является металлизация, а в частности, межсоединения. Применение стандартных металлов для микроэлектронной технологии не может в полной мере обеспечить работу приборов при высоких температурах. Поэтому интерес представляют тугоплавкие металлы. Одним из них является вольфрам. Он обладает высокими показателями электромиграционной стойкости. Но его основной недостаток заключается в низкой пластичности, что приводит к плохой адгезии к кремнию, а также растрескиванию материала. В связи с чем, снижается эффективность его использования для создания межсоединений в металлизации ИС. Показано, что добавка рения в вольфрам обеспечивает получение пластичных проводниковых межсоединений, характеризующихся удовлетворительной адгезионной способностью. Продемонстрировано, что аналогичным рению эффектом обладают титан и азот. Они также снижают механические напряжения в пленках вольфрама и повышают их адгезионную способность. Проведенный анализ литературы позволяет сделать вывод, что межсоединения на основе вольфрама с различными легирующими примесями, такими как рений, титан и азот, могут применяться в качестве функционального материала межсоединений в высокотемпературной электронике. Ключевые слова: металлизация, вольфрам, сплавы вольфрама, рениевый эффект, электромиграция, механические свойства, адгезия