|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
Излучательная рекомбинация и фотоэлектрические свойства тройных твердых растворов Ga1-xInxSbдиссертация
- Научный руководитель: Юнович А.Э.
- Автор: Лебедев Александр Иванович
- Дата защиты: 6 февраля 1979 года
- Шифр диссертационного совета: К 053.05.20 при МГУ им. М.В. Ломоносова
- Организация: МГУ имени М.В. Ломоносова, физический факультет
- Область знаний: Физика и математика
- Специальность: 01.04.10 - Физика полупроводников
- Тип диссертации: Кандидатская
- Ведущая организация: Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе АН СССР
- Организация, в которой выполнялась работа: МГУ имени М.В. Ломоносова, физический факультет
- Оппоненты: Осипов В.В., Гиппиус А.А.
-
Аннотация:
Исследована излучательная рекомбинация в нелегированных и легированных различными примесями твердых растворах Ga1-xInxSb в широком дипазоне составов (x = 0 - 0.8; подробно при х < 0.2) и температур (65 - 320 К). Впервые исследованы спектры люминесценции GaSb и Ga1-xInxSb, легированных оловом, Sn, р- и n- типа проводимости. Исследованы фотоэлектрические и люминесцентные свойства р-n- и гетеропереходов на основе Ga1-xInxSb. Построена энергетическая диаграмма гетероперехода р- GaSb - n- Ga1-xInxSb. Поведение спектров люминесценции объясняется теорией примесной люминесценции в сильно легированных полупроводниках, развитой в работах В.В.Осипова.
- Добавил в систему: Юнович Александр Эммануилович