ИСТИНА

Диссертационная работа посвящена изучению слоёв InGaN/GaN в светодиодных гетероструктурах с квантовыми ямами комплексом модуляционных методов. Цель работы состоит в исследовании распределения напряжённости внутренних электрических полей и электрооптических свойств в активной области таких гетероструктур в зависимости от количества квантовых ям и концентрации индия методами электроотражения, электропропускания и фототока. Комплексное использование этих модуляционных методов позволило оценить распределение напряжённости внутренних электрических полей в активной области для образцов с разной длиной волны свечения, обнаружить уменьшение средней напряжённости электрических полей и увеличение размытия гетерограниц в активной области с увеличением количества квантовых ям, обнаружить смену фаз интерферирующих волн вследствие электрооптического эффекта, обнаружить фотореверсивный эффект смены направления фототока при изменении длины волны излучения. Показаны преимущества совместного применения метода фототока и электропропускания для определения межзонных переходов различного типа.