Аннотация:В дипломной работе Т.В.Ищенко решена самосогласованная задача о взаимодействии светового импульса с прямозонным полупроводником в приближении медленной и быстрой электрон-электронной релаксации. Для полупроводника, возбужденного вблизи дна зоны, используется двухзонная модель (валентная зона и основная долина зоны проводимости). Для полупроводника, возбужденного далеко от дна зоны, используется трехзонная модель (с учетом еще дополнительной долины в зоне проводимости). Изучено влияние междолинного рассеяния на процесс поглощения фотовозбуждающего импульса накачки и основные характеристики полупроводника.
В дипломной работе найдены аналитические зависимости концентраций и энергий свободных носителей в зонах от плотности энергии фотовозбуждающего импульса, а также закон поглощения импульса при его распространении по образцу.