|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ПсковГУ |
||
ИК излучение из статического акустоэлектрического домена в GaAs при азотных температурахдипломная работа (Специалист)
- Научные руководители: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
- Автор: Матохин В.В.
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 1973
- Аннотация: Впервые обнаружено ИК излучение из статического акустоэлектрического домена в GaAs при азотных температурах. Предложена схема возникновения обнаруженного эффекта. Показано, что статические электрические поля в доменах в моменты излучения 3-5 кВ/см. Сделано предположение, что причиной возникновения ударной ионизации зона-зона и излучения являются высокочастотные пьезоэлектрические поля мощного звукового потока в домене, увеличивающиеся в нестационарных условиях наличия отраженного потока.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна