Аннотация:Проведены исследования кинетики релаксации темновой проводимости предварительно освещенных при повышенных температурах нелегированных и псевдолегированных пленок a-Si:H. В нелегированных пленках наблюдалась немонотонная релаксация - начальный рост и последующее падение проводимости, а в псевдолегированных пленках - монотонное падение проводимости. Для обоих типов пленок кривые описывались растянутыми экспонентами.