Организация, в которой проходила защита:
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук
Год защиты:2016
Аннотация:Доведение отдельных элементов современных интегральных схем до нанометровых размеров (менее 100 нм), требует исследования и учета влияния на характеристики электронных устройств новых неравновесных эффектов, которые, с одной стороны, могут мешать традиционному функционированию микроэлектронных элементов, а с другой стороны, могут быть использованы для создания новых устройств, основанных на новых принципах и использующие другие алгоритмы функционирования. Неравновесные эффекты в гибридных сверхпроводниковых структурах возникают на границах (интерфейсах) различных материалов, когда размеры элементов становятся сравнимыми с характерными длинами релаксации возникающих на этих границах возбуждений.
Так, сверхпроводящие гибридные элементы, в которых помимо сверхпроводников используются нормальные металлы и ферромагнетики, в настоящее время активно используются для реализации устройств цифровой и квантовой логики, чувствительных сенсоров электромагнитных сигналов, источников и детекторов терагерцовых и субтерагерцовых излучений.
В ходе выполнения квалификационной работы проведен большой объем методических, технологических и экспериментальных исследований, модернизирована и автоматизирована установка для измерения при сверхнизких температурах, отработана технология изготовления образцов с использованием оборудования расположенного в России, измерены характеристики нескольких десятков SNS структур. Полученные образцы всесторонне охарактеризованы методами электронно-транспортных исследований. Достоинством работы является чрезвычайно высокий уровень проведенных физических измерений изготовленных нанобъектов, а также подробное изложение материалов по технологическим и экспериментальным исследованиям. Определены длины релаксации в широком температурном диапазоне.
