ИСТИНА

Нанопористые слои Ge, сформированные методом имплантации ионов In+ с энергией E=30 кэВ и дозами D от 1.8·10^16 до 7.5·10^16 ион/см2, исследовались методами растровой электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света (КРС). Полученные микрофотографии позволили оценить морфологию и пористость слоев. На основании данных КРС установлено, что полученные наноструктуры являются аморфными. Возбуждение КРС лазером с интенсивностью более 1500 Вт/см2 приводит к нагреву и последующей локальной кристаллизации облученных областей. По результатам КРС исследований оценена объемную долю кристаллической фазы, которая оказалась максимальной для образца с D = 5.6·10^16 ион/см2, что коррелирует с оценкой пористости.