ИСТИНА

Температурная и азимутальная зависимость интенсивности и спектральной формы запрещенных отражений типа h00 (h=4n+2) в кристаллах семейства MH2PO4 (M=K, Rb) обусловлена изменением резонансной части Е1Е1 атомного фактора вследствие тепловых колебаний и изменения симметрии мгновенных конфигураций, образованных атомами водорода вокруг атомов металла в параэлектрической фазе. Численное моделирование таких эффектов в сопоставлении с экспериментальными данными, измеренными на синхротронах третьего поколения, позволило получить значения некоторых физических параметров, таких как частота низколежащей моды оптических колебаний и энергия активации отдельных конфигураций водорода. В настоящей работе обсуждается вопрос о том, насколько чувствительны такие запрещенные отражения к температуре, если измерения проводить при энергии падающего излучения вблизи К-края поглощения фосфора.