ИСТИНА

Одним из главных недостатков современных органических светоизлучающих диодов (ОСД, OLED), в особенности синих, является их малый эксплуатационный ресурс. Ключевая причина деградации ОСД связана с деградацией органических эмиссионных слоев (ЭС) и их интерфейсов, главным образом в зоне электроннодырочной рекомбинации, где высока плотность экситонов. В результате плотность энергии в этих зонах также высока, что приводит к деградации органических полупроводниковых материалов. Пространственная зависимость темпа рекомбинации в ЭС определяется подвижностью носителей заряда, относительной диэлектрической проницаемостью, а также взаимным расположением уровней верхней занятой молекулярной орбитали (ВЗМО) и нижней свободной молекулярной орбитали (НСМО) соседних слоев. В данной работе с помощью численного моделирования, основанного на дрейф-диффузионной модели, была выявлена зависимость пространственного распределения скорости рекомбинации носителей заряда от их подвижности и положения уровней ВЗМО и НСМО в слоях. Моделирование проводилось для лабораторно изготовленных структур ОСД.