ИСТИНА

Одним из наиболее существенных недостатков газовых сенсоров на основе нанокристаллических широкозонных полупроводниковых оксидов является их высокое энергопотребление, обусловленное необходимостью нагрева чувствительного слоя до 300–500 °C (термическая активация). Перспективным способом снижения энергопотребления сенсоров является замена термической активации на фотонную активацию. Данная работа посвящена исследованию процессов, происходящих на поверхности как немодифицированных нанокристаллических оксидов цинка, индия и олова, так и нанокомпозитов на их основе, модифицированных металлическими кластерами (Pd, Pt). Исследование проводилось в диапазоне температур 30–150 °С в атмосфере, содержащей NO2 (в He и в сухом воздухе), ацетон, гексан или бензол (в сухом воздухе), в темновых условиях и при активации ультрафиолетовым излучением (365 нм) методами in-situ масс-спектрометрии, масс-спектрометрии в режиме operando и in-situ ИК-спектроскопии диффузного отражения (DRIFTS).