ИСТИНА

Одной из приоритетных задач современного материаловедения является развитие технологии получения высокотемпературных сверхпроводящих лент второго поколения. Они представляют собой упаковку эпитаксиальных гетероструктур на длинномерных металлических подложках, включающих совокупность буферных слоев и слой высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП). Для ВТСП-лент второго поколения особенно остро стоит задача создания высокопроизводительных, простых и дешевых технологий, позволяющих воспроизводимо получать протяженные функциональные слои высокого качества. С учетом этих требований большие надежды возлагаются на подходы, основанные на химическом осаждении из растворов металл-органических прекурсоров (Chemical Solution Deposition, CSD). В связи со сказанным, целью работы является получение ВТСП-ленты второго поколения с использованием метода химического осаждения из раствора. Метод CSD заключается в протягивании металлической ленты Ni-5%W (Evico) через раствор (рис.1). При этом важны следующие параметры: скорость вращения приемной катушки, натяжение ленты, условия сушки, концентрация раствора. Рабочие растворы готовили в пропановой кислоте, растворяя в ней оксид или ацетилацетонат лантана и ацетилацетонат циркония (Zr(acac)4). Для изучения свойств используемых растворов измеряли зависимость вязкости от температуры. Методом термогравиметрии определяли область температур основной потери массы и область перехода вещества в оксид, что использовано при выборе температуры предотжига нанесенной из раствора пленки и температуры окончательного текстурирующего отжига. Рис. 1. Схема установки получения текстурированной ленты. Качество оксидных пленок было охарактеризовано рядом физико-химических методов анализа: рентгеновской дифракцией (РФА, φ-сканирование, кривые качания) и дифракцией электронов, толщины определяли с помощью электронной микроскопии. Получаемые в работе материалы уже применяются и еще шире будут применяться в ближайшее время для передачи на большие расстояния токов без потерь, в качестве обмоток криомоторов, генераторов, магнитов и других устройств. Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ №12-03-00754-а