Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ПсковГУ
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Single-electron single-atom transistor based on arsenic dopants in silicon
доклад на конференции
Авторы:
Kolpakov M.A.
,
Dagesyan S.A.
,
Presnov D.E.
,
Shorokhov V.V.
,
Krupenin V.A.
,
Snigirev O.V.
Международная Конференция :
ICMNE-2021
Даты проведения конференции:
4-8 октября 2021
Дата доклада:
5 октября 2021
Тип доклада:
Приглашенный
Докладчик:
Kolpakov M.A.
не указан
Kolpakov M.A.
Dagesyan S.A.
Presnov D.E.
Shorokhov V.V.
Krupenin V.A.
Snigirev O.V.
Место проведения:
г. Звенигород, РФ, Россия
Добавил в систему:
Преснов Денис Евгеньевич