ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ПсковГУ |
||
Показано, что внедрение коллоидных нанопластинок CdSe в полимерную матрицу приводит к снижению напряжений резистивных переключений до значений, близких к применимым в электронике, и увеличению количества циклов переключений до 10е6. Подтверждено наличие зарядового обмена между полимерной матрицей и пластинками CdSe и возможность оптической активации резистивных переключений на длинах волн, отвечающих переходам между уровнями размерного квантования.