Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ПсковГУ
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Single-Atom Single-Electron Transistors Based On Individual As, P, Au And K Dopants In Silicon
доклад на конференции
Авторы:
Shorokhov V.V.
,
Presnov D.E.
,
Krupenin V.A.
,
Trifonov A.S.
,
Snigirev O.V.
,
Dagesyan S.A.
Международная Конференция :
State-of-the-art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects (STRANN-2018)
Даты проведения конференции:
17-19 октября 2018
Дата доклада:
18 октября 2018
Тип доклада:
Устный
Докладчик:
Shorokhov V.V.
не указан
Shorokhov V.V.
Presnov D.E.
Krupenin V.A.
Trifonov A.S.
Snigirev O.V.
Dagesyan S.A.
Место проведения:
Москва, Россия
Доклад на конференции выполнен в рамках проекта (проектов):
Исследования фундаментальных физических свойств объектов наноэлектроники
Добавил в систему:
Преснов Денис Евгеньевич