Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ПсковГУ
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Подвижности и эффективные массы электронов в HEMT-структурах InGaAs/InAlAs с повышенным содержанием In
доклад на конференции
Авторы:
Юзеева Н.А.
,
Сорокоумова А.В.
,
Лунин Р.А.
,
Кульбачинский В.А.
,
Галиев Г.Б.
,
Климов Е.А.
,
Овешников Л.Н.
Международная Конференция (Семинар (workshop)) :
XXXVII Совещание по физике низких температур
Даты проведения конференции:
29 июня - 3 июля 2015
Дата доклада:
30 июня 2015
Тип доклада:
Стендовый
Докладчик:
Юзеева Н.А.
не указан
Юзеева Н.А.
Сорокоумова А.В.
Лунин Р.А.
Кульбачинский В.А.
Галиев Г.Б.
Климов Е.А.
Овешников Л.Н.
Место проведения:
Казань, Россия
Добавил в систему:
Кульбачинский Владимир Анатольевич