ИСТИНА

В работе представлены результаты исследований кинетики фотопроводимости под действием импульсного лазерного терагерцового излучения с длиной волны до 496 мкм при температуре 4.2 К в гетероструктурах на основе Hg1-xCdxTe в области составов 0.13 < x < 0.175, соответствующих как прямому, так и инверсному спектру. Показано, что в области составов, соответствующих прямому спектру x > 0.16, фотопроводимость определяется разогревом носителей заряда и является отрицательной. В области инверсного спектра x < 0.16 фотопроводимость положительная и связана с генерацией неравновесных носителей заряда. Важно отметить, что фотопроводимость является беспороговой, и наблюдается при всех длинах волн лазера от 90 до 496 мкм. Даже в отсутствие оптимизации чувствительности на длине волны 496 мкм удается зарегистрировать излучение мощностью порядка единиц микроватт при длительности импульса около 100 нс. Результаты исследований фотопроводимости в магнитном поле позволяют предположить, что за высокую чувствительность к терагерцовому излучению отвечают топологические электронные состояния на гетеропереходе между активным слоем и барьером.