ИСТИНА

Проведены эксперименты по облучению монокристаллов кремния ионами ксенона в однозарядном и многозарядном состояниях. Ионы имплантировались с энергией в диапазоне от 50 до 400 кэВ. Доза облучения варьировалась от 5*10^14 до 5*10^15 ион/см2. С помощью метода резерфодовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием показано, что средние проективные пробеги внедренных многозарядных ионов имеют меньшие значения по сравнению с пробегами однозарядных ионов. Экспериментальные данные сравнены с результатами моделирования с применением кодов TRIM и MARLOWE. В работе обсуждается, различие профилей радиационно-стимулированных дефектов в случае однозарядных и многозарядных ионов.