ИСТИНА

Известно, что индуктивный ВЧ разряд широко используется в полупроводниковой промышленности при производстве микросхем, в качестве активной среды космических электрореактивных двигателей, источников света, в процессах поверхностной модификации материалов, напыления и осаждения покрытий. Быстрое развитие технологий микро- и наноэлектроники требуют создания гибко управляемых плазменных рабочих процессов, позволяющих получать протяженные участки равномерной плотной плазмы. Одним из наиболее значимых, c точки зрения технологических применений, параметров является пространственное распределение ионного тока насыщения i+. Настоящая работа является продолжением систематических исследований характеристик плазмы при изменении внешних параметров разряда: давления рабочего газа, рабочей частоты и мощности ВЧ генератора, величины и конфигурации магнитного поля, формы индуктора, а также рода газа и их смесей.